Motorola mje Hoja de datos

No.	parte #	Fabricante	Descripción
1	MJE13007	Motorola	POWER TRANSISTOR nuous Base Current — Peak (1) Emitter Current — Continuous Emitter Current — Peak (1) RMS Isolation Voltage (for 1 sec, R.H. < 30%, TA = 25°C) Test No. 1 Per Fig. 15 Test No. 2 Per Fig. 16 Test No. 3 Per Fig. 17 Proper strike and creepage distance mu
2	MJE4922	Motorola	MEDIUM-POWER PLASTIC NPN SILICON TRANSISTORS • Low Saturation Voltage -VCE(sat)= 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Amp • Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construction - PD = 30 and 40 W @ T C = 250 e • Excellent Safe Operating Area • Gain Specified to Ie = 1.0 Amp • Complement to PNP 2N4918
3	MJE4918	Motorola	MEDIUM-POWER PLASTIC PNP SILICON TRANSISTORS = = • Low Saturation Voltage - VCE(sat) 0.6 Vdc (Max) @ IC 1.0 Amp • Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construction- = PD = 30 and 40 W @TC 2SoC • Excellent Safe Operating Area • Gain Specified to IC = 1.0 Amp • Complement to NPN 2N4921,
4	MJE16002	Motorola	5.0 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTORS ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
5	MJE18002D2	Motorola	POWER TRANSISTORS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
6	MJE18006	Motorola	POWER TRANSISTOR ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
7	MJE18604	Motorola	POWER TRANSISTORS • Low Base Drive Requirement • High DC Current Gain (30 Typical) @ IC = 400 mA • Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the Internal Active Antisaturation (H2BIP) Structure which Minimizes the Spread • Integrated Collector –Emitter Free
8	MJE4923	Motorola	MEDIUM-POWER PLASTIC NPN SILICON TRANSISTORS • Low Saturation Voltage -VCE(sat)= 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Amp • Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construction - PD = 30 and 40 W @ T C = 250 e • Excellent Safe Operating Area • Gain Specified to Ie = 1.0 Amp • Complement to PNP 2N4918
9	MJE4921	Motorola	MEDIUM-POWER PLASTIC NPN SILICON TRANSISTORS • Low Saturation Voltage -VCE(sat)= 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Amp • Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construction - PD = 30 and 40 W @ T C = 250 e • Excellent Safe Operating Area • Gain Specified to Ie = 1.0 Amp • Complement to PNP 2N4918
10	MJE4920	Motorola	MEDIUM-POWER PLASTIC PNP SILICON TRANSISTORS = = • Low Saturation Voltage - VCE(sat) 0.6 Vdc (Max) @ IC 1.0 Amp • Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construction- = PD = 30 and 40 W @TC 2SoC • Excellent Safe Operating Area • Gain Specified to IC = 1.0 Amp • Complement to NPN 2N4921,
11	MJE13002	Motorola	1.5 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTORS • Reverse Biased SOA with Inductive Loads @ TC = 100_C • Inductive Switching Matrix 0.5 to 1.5 Amp, 25 and 100_C . . . tc @ 1 A, 100_C is 290 ns (Typ). • 700 V Blocking Capability • SOA and Switching Applications Information. ™ Data Sheet MJE13002
12	MJE15031	Motorola	8 AMPERE POWER TRANSISTORS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
13	MJE15032	Motorola	8.0 AMPERES POWER TRANSISTORS ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Rating Symbol VCEO VCB VEB IC IB PD PD MJE15032 MJE15033 250 250 5.0 8.0 16 2.0 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc Collecto
14	MJE2360T	Motorola	NPN Silicon High Voltage Transistor
15	MJE5851	Motorola	8 AMPERE PNP SILICON POWER TRANSISTORS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ
16	MJE8503	Motorola	POWER TRANSISTORS Peak (1) Collector Current — Continuous Collector Current — Peak Total Power Dissipation @ TC = 25°C @ TC = 100°C Derate above 25°C Operating and Storage Temperature Range Symbol VCEO(sus) VCES VCBO VEBO IC IB IBM PD Value 700 1500 1500 5.0 5.0 10 4.
17	MJE8503A	Motorola	POWER TRANSISTORS Peak (1) Collector Current — Continuous Collector Current — Peak Total Power Dissipation @ TC = 25°C @ TC = 100°C Derate above 25°C Operating and Storage Temperature Range Symbol VCEO(sus) VCES VCBO VEBO IC IB IBM PD Value 700 1500 1500 5.0 5.0 10 4.
18	MJE9780	Motorola	PNP SILICON POWER TRANSISTOR • Standard TO –220AB Package • Gain Range of 50 – 200 at 500 mAdc/10 volts MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C unless otherwise noted) Rating Collector –Emitter Sustaining Voltage Collector –Base Voltage Emitter –Base Voltage Collector Current — Continuous Colle
19	MJE3055	Motorola	(MJE2955 / MJE3055) POWER TRANSISTORS
20	MJE105	Motorola	5 Ampere Power Transistor