INTEGRAL KT8 Hoja de datos

No.	parte #	Fabricante	Descripción
1	KT837	Integral	PNP Transistor Г, П, Ж, Т h21э Uкэ =5 B, Iк =2A КТ837Б, М, Д, Р, И, У КТ837В, Н, Е, С, К, Ф Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ837А - В, Л - Н Uкэ нас В Iк= 3 A, Iб= 0,37 A КТ837Г - Е, П - С Iк= 3 A, Iб= 0,37 A КТ837Ж - К, Т - Ф Iк= 2 А, Iб= 0,3 A
2	KT814	INTEGRAL	PNP Transistor Б9 КТ814В, В9 КТ814Г, Г9 Обратный ток коллектора КТ814А, А9, Б, Б9 КТ814В, В9, Г, Г9 Обратный ток коллектор-эмиттер КТ814А, А9, Б, Б9 КТ814В, В9, Г, Г9 Статический коэффициент передачи тока КТ814А, А9, Б, Б9, В, В9 КТ814Г, Г9 Напряжение насыщения ко
3	KT816	Integral	PNP Transistor Б9 КТ816В, В9 КТ816Г, Г9 Обратный ток коллектора КТ816А, А9 КТ816Б, Б9 КТ816В, В9 КТ816Г, Г9 Обратный ток коллектор-эмиттер КТ816А, А9 КТ816Б, Б9 КТ816В, В9 КТ816Г, Г9 Статический коэффициент передачи тока Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Обо
4	KT817B	INTEGRAL	Transistor ое напряжение коллектор-эмиттер КТ817А, А9 КТ817Б, Б9 КТ817В, В9 КТ817Г, Г9 Обратный ток коллектора КТ817А, А9 КТ817Б, Б9 КТ817В, В9 КТ817Г, Г9 Обратный ток коллектор-эмиттер КТ817А, А9 КТ817Б, Б9 КТ817В, В9 КТ817Г, Г9 Статический коэффициент передач
5	KT817	INTEGRAL	Transistor ое напряжение коллектор-эмиттер КТ817А, А9 КТ817Б, Б9 КТ817В, В9 КТ817Г, Г9 Обратный ток коллектора КТ817А, А9 КТ817Б, Б9 КТ817В, В9 КТ817Г, Г9 Обратный ток коллектор-эмиттер КТ817А, А9 КТ817Б, Б9 КТ817В, В9 КТ817Г, Г9 Статический коэффициент передач
6	KT817A	INTEGRAL	Transistor ое напряжение коллектор-эмиттер КТ817А, А9 КТ817Б, Б9 КТ817В, В9 КТ817Г, Г9 Обратный ток коллектора КТ817А, А9 КТ817Б, Б9 КТ817В, В9 КТ817Г, Г9 Обратный ток коллектор-эмиттер КТ817А, А9 КТ817Б, Б9 КТ817В, В9 КТ817Г, Г9 Статический коэффициент передач
7	KT815	Integral	NPN Transistor яжение колл-эмит КТ815А, А9 КТ815Б, Б9 КТ815В, В9 КТ815Г, Г9 Обратный ток коллектора КТ815А, А9, Б, Б9 КТ815В, В9, Г, Г9 Обратный ток коллектор-эмиттер КТ815А, А9, Б, Б9 КТ815В, В9, Г, Г9 Статический коэффициент передачи тока КТ815А, А9, Б, Б9, В, В9
8	KT872	Integral	NPN Transistor Г, Г1 Статический коэффициент передачи тока КТ872В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ872А, Г, А1, Г1 КТ872А, Г, А1, Г1 КТ872Б КТ872В Вpемя спада КТ872А, Г, А1, Г1 КТ872Б, В Вpемя рассасывания КТ872А, Г, А1, Г1 КТ872Б, В Постоянное прямое напря
9	KT8225A	Integral	NPN Transistor = +25 °С Параметры Обратный ток коллектор-эмиттер Обратный ток эмиттера Напряжение насыщения коллектор - эмиттер (1) Напряжение насыщения база-эмиттер (1) Статический коэффициент передачи тока (1,2) Граничное напряжение коллектор – эмиттер Прямое на
10	KT8159	Integral	PNP Transistor Время задержки Обозначение Uкэо гp. Iкбo Iэбо h21е Uкэ(нас) tвкл. * tсп. * tзд. * Ед. Режимы измеpения изм. B Iк=30mA, Iб=0 мА Uкб=Uкб max, Iэ=0 мA Uэб=-5B, Iк=0 Uкэ=-4B, Iэ=-5A В Iк=-5A, Iб=-20мA мкс Iк=-5А, Iб1=-20мА, Iб2=-20мА, Uкэ=-16В Min Ma
11	KT872A	Integral	NPN Transistor Г, Г1 Статический коэффициент передачи тока КТ872В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ872А, Г, А1, Г1 КТ872А, Г, А1, Г1 КТ872Б КТ872В Вpемя спада КТ872А, Г, А1, Г1 КТ872Б, В Вpемя рассасывания КТ872А, Г, А1, Г1 КТ872Б, В Постоянное прямое напря
12	KT8248A	Integral	NPN Transistor ения база-эмиттер Сопротивление резистора эмиттер-база КТ8248А11 Емкость коллекторного перехода1 Вpемя спада 1 Вpемя рассасывания 1 Постоянное прямое напряжение диода КТ8248А1 Обозн. Uкэо гp. Iкэк Iэбо Ед. изм. B мА мA Режимы измеpения Iк=100m
13	KT8248A1	Integral	NPN Transistor ения база-эмиттер Сопротивление резистора эмиттер-база КТ8248А11 Емкость коллекторного перехода1 Вpемя спада 1 Вpемя рассасывания 1 Постоянное прямое напряжение диода КТ8248А1 Обозн. Uкэо гp. Iкэк Iэбо Ед. изм. B мА мA Режимы измеpения Iк=100m
14	KT815A	Integral	Transistors 250 200…500 200…500 0.1 100…250 200…500 200…500 400…1000 200…500 400…1000 100…500 40…120 0.25 0.4 100…300 0.35 0.05 >50 1.0 0.1 110…220 0.6 0.015 200…450 420…800 50…300 0.5 40…120 80…240 40…120 80…240 40…120 40…120 0.6 1 VCE sat, V 0.3 ICBO, μА FT, М
15	KT816A	Integral	Transistor 25 20 40 35 40 35 20 60 20 35 50 Uýá max Â 10 10 5 10 10 10 10 10 20 20 20 20 20 5 Iê max ìÀ 300 h21å Uêý íàñ Â 0,4 Iêáî ìêÀ fãð ÌÃö 5 Êø äÁ Òèï êîðïóñà ÊÒ-26 BC547A BC547B BC548B BC549C NPN 0,25 200 PNP BC307A BC308A BC308B BC309B BC307B BC308C
16	KT8115	INTEGRAL	PNP Transistor жение насыщения коллектор-эмиттер Напряжение насыщения база-эмиттер Граничная частота коэффициента передачи тока * tи ≤ 300мкс, Q>100 Обозн. * Uкэо гp. Iкбо Iкэr Iэбо * h21э * Uкэ(нас) * Uбэ(нас) fгр. Ед. изм. B Режимы измеpения Iк=100mA, Iб=0 мА
17	KT872B	Integral	NPN Transistor Г, Г1 Статический коэффициент передачи тока КТ872В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ872А, Г, А1, Г1 КТ872А, Г, А1, Г1 КТ872Б КТ872В Вpемя спада КТ872А, Г, А1, Г1 КТ872Б, В Вpемя рассасывания КТ872А, Г, А1, Г1 КТ872Б, В Постоянное прямое напря
18	KT8159A	Integral	PNP Transistor Время задержки Обозначение Uкэо гp. Iкбo Iэбо h21е Uкэ(нас) tвкл. * tсп. * tзд. * Ед. Режимы измеpения изм. B Iк=30mA, Iб=0 мА Uкб=Uкб max, Iэ=0 мA Uэб=-5B, Iк=0 Uкэ=-4B, Iэ=-5A В Iк=-5A, Iб=-20мA мкс Iк=-5А, Iб1=-20мА, Iб2=-20мА, Uкэ=-16В Min Ma
19	KT8159B	Integral	PNP Transistor Время задержки Обозначение Uкэо гp. Iкбo Iэбо h21е Uкэ(нас) tвкл. * tсп. * tзд. * Ед. Режимы измеpения изм. B Iк=30mA, Iб=0 мА Uкб=Uкб max, Iэ=0 мA Uэб=-5B, Iк=0 Uкэ=-4B, Iэ=-5A В Iк=-5A, Iб=-20мA мкс Iк=-5А, Iб1=-20мА, Iб2=-20мА, Uкэ=-16В Min Ma
20	KT8156	Integral	NPN Transistor