Busque con el número de pieza junto con el fabricante o la descripción
KT8159B |
Click to view a larger image
| Part Number | KT8159B |
| Manufacturer | Integral |
| Description | КТ8159 p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный составной транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона). Предназначены для примен... |
| Features |
Время задержки
Обозначение
Uкэо гp.
Iкбo Iэбо h21е Uкэ(нас) tвкл. * tсп. * tзд. *
Ед. Режимы измеpения изм.
B Iк=30mA, Iб=0
мА Uкб=Uкб max, Iэ=0 мA Uэб=-5B, Iк=0
Uкэ=-4B, Iэ=-5A В Iк=-5A, Iб=-20мA мкс Iк=-5А, Iб1=-20мА,
Iб2=-20мА, Uкэ=-16В
Min Max
-60 -80 -100
1000
-0,4 -5,0
-2,0 0,5 2,5 1,1
* Спpавочные паpаметpы
Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ8158
Параметры
Напряжение коллектор-база КТ8159А КТ8159Б КТ8159В
Напpяжение коллектоp-эмиттеp: КТ8159А КТ8159Б КТ8159В
Напряжение эмиттер-база
Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора (t... |
| Document |
 KT8159B Data Sheet
PDF 237.05KB |
Similar Datasheet
Desde 2024. D4U Semiconductor.
|