| No. | parte # | Fabricante | Descripción | Hoja de Datos |
|---|---|---|---|---|
|
|
|
ETC |
PNP Transistor |
|
|
|
|
ETC |
PNP transistor (корпуса) -60 до 100o С Обознач. Uкэ и max Ед. измер. В Значение 160 135 Uкэr max В 70 60 5 5 8 2 30 Uэб max Iк max Iки max Iб max Pк max В А А А Вт ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ( Tокр.ср.=25°C ) Паpаметpы Обозн Ед. Режимы измеpения ачен |
|
|
|
|
ETC |
HIGH POWER compound NPN transistor а Напряжениенасыщения коллектор-эмиттер Напряжениенасыщениябазаэмиттер Прямоенапряжениенадиоде Обозна- Единица Величина Режим чение измеренияМин. Макс. измерения UCEO(sus) В 350 500 группаА 250 350 группаБ ICЕO мА 0.1 UCЕ=300 B (А) 0.1 UCЕ=250 |
|
|
|
|
ETC |
n-p-p Transistor тры транзисторов, ... http://www.5v.ru/ds/trnz/kt805.htm 2 von 2 11.06.2012 14:28 http://www.Datasheet4U.com |
|
|
|
|
ETC |
NPN Transistor ряжение насыщения база-эмиттер КТ805АМ КТ805БМ КТ805ВМ Обозначение Iкэr Iкэr Iэбо h21э Ед. изм. мА мA мА Режимы измеpения Uкэ и.=160В, Rэб=10 Ом Uкэ и.=135В, Rэб=10 Ом Uкэо=60B, Rэб = ∞ Uэб=5В 50 5 Uкэ и.=10B, Iк=2A 15 25 В Iк=5A, Iб=0,5A Iк=5A, Iб=0 |
|
|
|
|
ETC |
Transistor |
|
|
|
|
ETC |
NPN Transistor Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), V 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс), V 80 Максимально допустимый ток к ( Iк макс, А) 20 Статический коэффициент передачи |
|
|
|
|
ETC |
Transistor |
|
|
|
|
ETC |
NPN Transistor |
|
|
|
|
ETC |
PNP Transistor |
|
|
|
|
ETC |
PNP Transistor |
|
|
|
|
ETC |
Transistor |
|
|
|
|
ETC |
NPN Transistor Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), V 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс), V 80 Максимально допустимый ток к ( Iк макс, А) 20 Статический коэффициент передачи |
|
|
|
|
ETC |
PNP Transistor |
|
|
|
|
ETC |
PNP Transistor |
|
|
|
|
ETC |
NPN Transistor Iк=5A, Iб=0,5A Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ819 Параметры Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб ≤ 1 кОм КТ819А КТ819Б КТ819В КТ819Г Напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллектора Импульс |
|
|
|
|
ETC |
PNP Transistor |
|
|
|
|
ETC |
NPN Transistor |
|
|
|
|
ETC |
NPN Transistor |
|
|
|
|
ETC |
PNP Transistor ение 40 50 70 100 5 1.5 3 0,5 10 150 ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ( Tокр.ср.=+25°C ) Паpаметpы Обозна- Ед. Режимы измеpения Min Max чение измеp Граничное напряжение колл-эмит КТ814А, Uкэо гp. B Iэ=50mA, 30 КТ814Б, tи=0.3÷1 мс 45 КТ814В, |
|
Desde 2024. D4U Semiconductor.
|