KT819 |
Part Number | KT819 |
Manufacturer | ETC |
Description | КТ819 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для использования в ключевых ... |
Features |
Iк=5A, Iб=0,5A
Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ819
Параметры Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб ≤ 1 кОм КТ819А КТ819Б КТ819В КТ819Г Напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора tи ≤ 10 мс, Q ≥ 100 Максимально допустимый постоянный ток базы Импульсный ток базы tи ≤ 10 мс, Q ≥ 100 Рассеиваемая мощность при Ткорп. ≤ 25 °С Обознач. Uкэ max Ед. изм. В Значение 40 50 70 100 5 10 15 3 5 60
Uэб max Iк max Iки max Iб max Iби max Рк мах
В А А А А Вт
КТ819 (январь 2011г., редакция 1.0)
2
ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Ми... |
Document |
KT819 Data Sheet
PDF 185.97KB |
Similar Datasheet