eupec FP1 Hoja de datos

No.	parte #	Fabricante	Descripción
1	FP15R12KE3	eupec GmbH	IGBT-Module ipation TC = 25°C Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage IFRMSM IRMSmax IFSM I2t VCES IC,nom. IC ICRM Ptot VGES 25 36 196 158 192 125 1200 15 27 30 89 +/- 20V Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Dauergleichstrom DC forward curre
2	FP100R06KE3	eupec GmbH	IGBT acteristic values !" " ; # ; # 3 ! # R < < # # # ; # # # !" " ; # ! !" " " # T# # " U # " U U V W U U V W W W < D D " D # # # # # 3, ' 2 3, ' 2 3, ' 2 + + + + K* M Q Q " 3, ' 21/ " 1 +,- ' +@-1 $%& ' ()* +@- ' 2( + $%& ' ()* ' 2 NO 1 $%& ' ()*1 +,-
3	FP15R12KE3G	eupec GmbH	IGBT-Module ter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral I 2t - value Tc = 80 °C tP = 1 ms VR = 0V, tp = 10ms, Tvj
4	FP10R12YT3	Eupec GmbH	IGBT Modules $%& ' ()* 1, ' 69 +,- ' 5 + +A- ' X ( +9 A32 ' 0 L9 $%& ' ()* +A- ' X ( +9 A32 ' 0 L9 $%& ' ()* S 9 9 ( 9 ? 9 ? 9 ? 9 ( 9?( 9 ( 95P 9 ( ( 95 9(( 90 6 7T V W W 1, ' 69 +,- ' 5 + +A- ' X ( +9 A3ZZ ' 0 L9 $%& ' ()* +A- ' X ( +9 A3ZZ ' 0 L9 $%& '
5	FP10R12KE3	Eupec GmbH	IGBT Modules istung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral I2t - value T vj
6	FP15R12KT3	eupec GmbH	IGBT-Module ( +7 >3ZZ ' E( L7 $%& ' ()* 1, ' ( 7 +,- ' H + +>- ' X ( +7 >3ZZ ' E( L7 $%& ' ()* +>- ' X ( +7 >3ZZ ' E( L7 $%& ' ()* 1, ' ( 7 +,- ' H +7 V. ' S( N +>- ' X ( +7 >32 ' E( L7 $%& ' ()* +>- ' X ( +7 >32 ' E( L7 $%& ' ()* 1, ' ( 7 +,- ' H +7 V. ' S( N +
7	FP15R12KS4C	eupec	IGBT nung gate-emitter peak voltage VCES 1200 V IC,nom. 15 A IC 30 A TC = 80 °C ICRM 30 A Ptot 180 W VGES +/- 20V V Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw