Motorola BD7 Hoja de datos

No.	parte #	Fabricante	Descripción
1	BD776	Motorola Inc	Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors Î ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
2	MBD770DWT1	Motorola	Dual Schottky Barrier Diodes s. Readily available to many other fast switching RF and digital applications. • Extremely Low Minority Carrier Lifetime • Very Low Capacitance • Low Reverse Leakage MAXIMUM RATINGS Rating Reverse Voltage MBD110DWT1 MBD330DWT1 MBD770DWT1 Symbol VR V
3	BD790	Motorola Inc	Complementary Plastic Silicon Power Transistors ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
4	BD777	Motorola Inc	Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors Î ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
5	BD788	Motorola Inc	Complementary Plastic Silicon Power Transistors ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ MAXIMUM RATINGS Rating Symbol VCEO VCBO VEBO IC IB BD787 BD788 60 80 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc Adc Collector –Emitter Voltage Collector –Base Voltage Emitter –Base Voltage 6.0 4.0 8.0 1.0 Collector Current — Continous — Peak Base Current Total
6	MMBD770T1	Motorola	Schottky Barrier Diodes Motorola, Small –Signal Inc. 1996 1 MMBD110T1 MMBD330T1 MMBD770T1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) Characteristic Reverse Breakdown Voltage (IR = 10 µA) MMBD110T1 MMBD330T1 MMBD770T1 CT MMBD110T1 MMBD330T1 MMBD770T1 IR M
7	BD792	Motorola Semiconductor	(BD789 - BD792) Complementary Plastic Silicon Power Transistors
8	MBD701	Motorola	CARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES se Voltage Forward Power Dissipation @ TA = 25°C Derate above 25°C Operating Junction Temperature Range Storage Temperature Range Symbol VR PF 280 2.8 TJ – 55 to +125 Tstg – 55 to +150 °C 200 2.0 mW mW/°C °C MMBD701LT1 Value 70 Unit Volts CASE 182 –
9	MMBD701LT1	Motorola	CARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES ure Range Storage Temperature Range Symbol VR PF 280 2.8 TJ – 55 to +125 Tstg – 55 to +150 °C CASE 318 – 08, STYLE 8 SOT – 23 (TO – 236AB) 200 2.0 mW mW/°C °C 1 2 3 MMBD701LT1 Value 70 Unit Volts 2 CATHODE 1 ANODE DEVICE MARKING MMBD701LT1 = 5H 3
10	BD778	Motorola Inc	Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors Î ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
11	BD787	Motorola Inc	Complementary Plastic Silicon Power Transistors ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ MAXIMUM RATINGS Rating Symbol VCEO VCBO VEBO IC IB BD787 BD788 60 80 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc Adc Collector –Emitter Voltage Collector –Base Voltage Emitter –Base Voltage 6.0 4.0 8.0 1.0 Collector Current — Continous — Peak Base Current Total
12	BD789	Motorola Inc	Complementary Plastic Silicon Power Transistors ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
13	BD791	Motorola	NPN Silicon Power Transistor
14	MMBD717LT1	Motorola	Common Anode Schottky Barrier Diodes CAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) Characteristic Reverse Breakdown Voltage (IR = 10 µA) Total Capacitance (VR = 1.0 V, f = 1.0 MHz) Reverse Leakage (VR = 10 V) Forward Voltage (IF = 1.0 mAdc) Symbol V(BR)R CT IR VF Min 20 — — — T
15	BD795	Motorola	NPN Power Transistor
16	BD797	Motorola	NPN Power Transistor
17	BD799	Motorola	NPN Power Transistor
18	MMBD7000LT1	Motorola	Dual Switching Diode Reverse Voltage Leakage Current (VR = 50 Vdc) (VR = 100 Vdc) (VR = 50 Vdc, 125°C) Forward Voltage (IF = 1.0 mAdc) (IF = 10 mAdc) (IF = 100 mAdc) Reverse Recovery Time (IF = IR = 10 mAdc) (Figure 1) Capacitance (VR = 0 V) 1. FR – 5 = 1.0 0.75 2. Alumin