| No. | parte # | Fabricante | Descripción | Hoja de Datos |
|---|---|---|---|---|
|
|
|
Motorola Inc |
15 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ |
|
|
|
|
Motorola Inc |
10 AMPERE POWER TRANSISTORS • • • • • Total Switching Time at 3 A typically 1.15 µs Gain Ranges Specified at 1 A and 3 A Low VCE(sat): typically 0.5 V at IC = 5 A and IB = 0.5 A Excellent Safe Operating Areas Complement to 2N3791 –92 2N3715 2N3716 10 AMPERE POWER TRANSISTORS S |
|
|
|
|
Motorola Inc |
10 AMPERE POWER TRANSISTORS • • • • • Total Switching Time at 3 A typically 1.15 µs Gain Ranges Specified at 1 A and 3 A Low VCE(sat): typically 0.5 V at IC = 5 A and IB = 0.5 A Excellent Safe Operating Areas Complement to 2N3791 –92 2N3715 2N3716 10 AMPERE POWER TRANSISTORS S |
|
|
|
|
Motorola Inc |
10 AMPERE POWER TRANSISTOR ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ |
|
|
|
|
Motorola Inc |
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tor-Emitter Breakdown Voltaged) dC = 10 mAdc, Ib = 0) 2N3734, 2N3736 2N3735, 2N3737 Collector-Base Breakdown Voltage dC = 10 ^Adc, Ie = 0) 2N3734, 2N3736 2N3735, 2N3737 Emitter-Base Breakdown Voltage (Ig = 10/iAdc, lc = 0) Collector Cutoff Curre |
|
|
|
|
Motorola Inc |
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tor-Emitter Breakdown Voltaged) dC = 10 mAdc, Ib = 0) 2N3734, 2N3736 2N3735, 2N3737 Collector-Base Breakdown Voltage dC = 10 ^Adc, Ie = 0) 2N3734, 2N3736 2N3735, 2N3737 Emitter-Base Breakdown Voltage (Ig = 10/iAdc, lc = 0) Collector Cutoff Curre |
|
Desde 2024. D4U Semiconductor.
|