No. | parte # | Fabricante | Descripción | Hoja de Datos |
---|---|---|---|---|
|
|
Integral |
PULSE WIDTH MODULATION MICROCIRCUIT OF POWER MOS TRANSISTOR Performs pulse width modulation with the frequency of up to 2 kHz. Protection from short circuit, increased voltage in the load and incorrect supply voltage polarity UBatt. Ensures continuity of the working cycle from 18 to 100% - IL6083N (from 10 t |
|
|
|
Integral |
PULSE WIDTH MODULATION MICROCIRCUIT OF POWER MOS TRANSISTOR икросхемы осуществляется от напряжения питания бортовой сети автомобиля Минимальное число внешних времязадающих компонентов. Диапазон рабочего напряжения питания микросхемы от 9 В до 16,5 В. 1 Предельные режимы. IL6083N, IL6083N-01 Наименование п |
|
|
|
Integral |
POWER FACTOR CORRECTOR CIRCUIT • Transition-mode control of PFC • Original multiplier design minimizes THD of AC input current • Precise adjustable output overvoltage protection • Low start-up supply current • Low (≤70μa) stand-by supply current • Operating supply current not exc |
|
|
|
Integral |
PULSE WIDTH MODULATION MICROCIRCUIT OF POWER MOS TRANSISTOR Performs pulse width modulation with the frequency of up to 2 kHz. Protection from short circuit, increased voltage in the load and incorrect supply voltage polarity UBatt. Ensures continuity of the working cycle from 18 to 100% - IL6083N (from 10 t |
|
|
|
Integral |
PULSE WIDTH MODULATION MICROCIRCUIT OF POWER MOS TRANSISTOR икросхемы осуществляется от напряжения питания бортовой сети автомобиля Минимальное число внешних времязадающих компонентов. Диапазон рабочего напряжения питания микросхемы от 9 В до 16,5 В. 1 Предельные режимы. IL6083N, IL6083N-01 Наименование п |
|