INTEGRAL KT3 Hoja de datos

No.	parte #	Fabricante	Descripción
1	KT3102	INTEGRAL	NPN Transistor мкА пФ Режимы измеpения Uкб=Uкб max,Iэ=0 Uэб=5B Uкб= 5B, Iэ= 2мA f=50Гц Uкб= 5B, f=10MГц Uкб= 5B, Iэ=10мA f=100МГц Uкэ= 5В, Iк=0,2мА пс Uкб= 5B, Iэ=10мА, f= 30МГц * Справочные параметры Min Max 15-50 10 100 1000 6,0 2 3 4,0 100 Таблица 2. Значен
2	KT368BM	INTEGRAL	NPN Transistor б=4B Uкб=1B, Iэ= 10мA Кш Uкэо гр Uбэ(нас) Cк Cэ τк дБ Uкб=5B, Iэ= 10мкА, f=6107 Гц, Rг =75 Ом В Iэ=10мА, tи ≤ 500 мкс, Q ≥ 100 В Iк=20мА, Iб=2,0мA пФ Uкб= 5B, f=107 Гц пФ Uэб= 1B, f=107 Гц пс Uкб=5B, Iэ= 10мА, F=3107 Гц Min Max 0,5 1,0 50 450 5
3	KT368	INTEGRAL	NPN Transistor б=4B Uкб=1B, Iэ= 10мA Кш Uкэо гр Uбэ(нас) Cк Cэ τк дБ Uкб=5B, Iэ= 10мкА, f=6107 Гц, Rг =75 Ом В Iэ=10мА, tи ≤ 500 мкс, Q ≥ 100 В Iк=20мА, Iб=2,0мA пФ Uкб= 5B, f=107 Гц пФ Uэб= 1B, f=107 Гц пс Uкб=5B, Iэ= 10мА, F=3107 Гц Min Max 0,5 1,0 50 450 5
4	KT3107	INTEGRAL	PNP Transistor мы измеpения Min Iкбо нА Uкб = 20B, Iэ = 0 Iэбo мкА Uэб = 5B, Iк = 0 h21e Uкб = 5B, Iэ = 2мA 70 Uкэ (нас) В Iк = 10мА, Iб = 0,5мA Uбэ (нас) В Iк = 10мА, Iб = 0,5мA Cк пФ Uкб = 10B, Iэ = 0, f = 10MГц fгр MГц Uкб = 5B, Iк = 10 мA 250 К
5	KT3102EM	INTEGRAL	NPN Transistor мкА пФ Режимы измеpения Uкб=Uкб max,Iэ=0 Uэб=5B Uкб= 5B, Iэ= 2мA f=50Гц Uкб= 5B, f=10MГц Uкб= 5B, Iэ=10мA f=100МГц Uкэ= 5В, Iк=0,2мА пс Uкб= 5B, Iэ=10мА, f= 30МГц * Справочные параметры Min Max 15-50 10 100 1000 6,0 2 3 4,0 100 Таблица 2. Значен
6	KT3102BM	INTEGRAL	NPN Transistor мкА пФ Режимы измеpения Uкб=Uкб max,Iэ=0 Uэб=5B Uкб= 5B, Iэ= 2мA f=50Гц Uкб= 5B, f=10MГц Uкб= 5B, Iэ=10мA f=100МГц Uкэ= 5В, Iк=0,2мА пс Uкб= 5B, Iэ=10мА, f= 30МГц * Справочные параметры Min Max 15-50 10 100 1000 6,0 2 3 4,0 100 Таблица 2. Значен
7	KT3102KM	INTEGRAL	NPN Transistor мкА пФ Режимы измеpения Uкб=Uкб max,Iэ=0 Uэб=5B Uкб= 5B, Iэ= 2мA f=50Гц Uкб= 5B, f=10MГц Uкб= 5B, Iэ=10мA f=100МГц Uкэ= 5В, Iк=0,2мА пс Uкб= 5B, Iэ=10мА, f= 30МГц * Справочные параметры Min Max 15-50 10 100 1000 6,0 2 3 4,0 100 Таблица 2. Значен
8	KT3117	INTEGRAL	NPN Transistor рного перехода* Обозначение Iкбо h21Е Uкэ(нас) Uбэ(нас) Cк* Сэ* Ед. измеp мкА Режимы измеpения Uкб=60B,Iэ=0 Uкб=-5B,Iэ=200мA В Iк=500мА,Iб=50мA В Iк=500мА,Iб=50мA пФ Uкб=10B, Iэ=0, f=10MГц пФ Min 40 Граничная частота коэффициента передачи тока
9	KT368AM	INTEGRAL	NPN Transistor б=4B Uкб=1B, Iэ= 10мA Кш Uкэо гр Uбэ(нас) Cк Cэ τк дБ Uкб=5B, Iэ= 10мкА, f=6107 Гц, Rг =75 Ом В Iэ=10мА, tи ≤ 500 мкс, Q ≥ 100 В Iк=20мА, Iб=2,0мA пФ Uкб= 5B, f=107 Гц пФ Uэб= 1B, f=107 Гц пс Uкб=5B, Iэ= 10мА, F=3107 Гц Min Max 0,5 1,0 50 450 5
10	KT3117A	INTEGRAL	NPN Transistor рного перехода* Обозначение Iкбо h21Е Uкэ(нас) Uбэ(нас) Cк* Сэ* Ед. измеp мкА Режимы измеpения Uкб=60B,Iэ=0 Uкб=-5B,Iэ=200мA В Iк=500мА,Iб=50мA В Iк=500мА,Iб=50мA пФ Uкб=10B, Iэ=0, f=10MГц пФ Min 40 Граничная частота коэффициента передачи тока
11	KT368VM	INTEGRAL	NPN Transistor б=4B Uкб=1B, Iэ= 10мA Кш Uкэо гр Uбэ(нас) Cк Cэ τк дБ Uкб=5B, Iэ= 10мкА, f=6107 Гц, Rг =75 Ом В Iэ=10мА, tи ≤ 500 мкс, Q ≥ 100 В Iк=20мА, Iб=2,0мA пФ Uкб= 5B, f=107 Гц пФ Uэб= 1B, f=107 Гц пс Uкб=5B, Iэ= 10мА, F=3107 Гц Min Max 0,5 1,0 50 450 5
12	KT3102AM	INTEGRAL	NPN Transistor мкА пФ Режимы измеpения Uкб=Uкб max,Iэ=0 Uэб=5B Uкб= 5B, Iэ= 2мA f=50Гц Uкб= 5B, f=10MГц Uкб= 5B, Iэ=10мA f=100МГц Uкэ= 5В, Iк=0,2мА пс Uкб= 5B, Iэ=10мА, f= 30МГц * Справочные параметры Min Max 15-50 10 100 1000 6,0 2 3 4,0 100 Таблица 2. Значен
13	KT3117A1	INTEGRAL	NPN Transistor рного перехода* Обозначение Iкбо h21Е Uкэ(нас) Uбэ(нас) Cк* Сэ* Ед. измеp мкА Режимы измеpения Uкб=60B,Iэ=0 Uкб=-5B,Iэ=200мA В Iк=500мА,Iб=50мA В Iк=500мА,Iб=50мA пФ Uкб=10B, Iэ=0, f=10MГц пФ Min 40 Граничная частота коэффициента передачи тока