| No. | parte # | Fabricante | Descripción | Hoja de Datos |
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Eupec |
IGBT GE IF IFRM VISOL min. 4,5 typ. 2,7 3,3 5,5 90 16 100 0,7 0,8 0,9 1,0 0,10 0,15 170 190 1200 1200 2400 7800 ± 20 1200 2400 2,5 max. 3,2 3,9 6,5 200 400 400 V A A W V A A kV tp=1 ms tC=25°C, Transistor /transistor tp=1ms RMS, f=50 Hz, t= 1 min. Char |
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IGBT |
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Eupec |
IGBT hter / transistor inverter Kollektor Emitter Sättigungsspannung collector emitter satration voltage Gate Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capaci |
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IGBT Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapaz |
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Eupec |
IGBT , "3 /01 , /= /C1 , /= )*+ , -. 60 , " := /01 , W / /C1 , X"- /= NC87 , "= P= )*+ , -. /C1 , X"- /= NC87 , "= P= )*+ , " -. 60 , " := /01 , W / /C1 , X"- /= NC87 , "= P= )*+ , -. /C1 , X"- /= NC87 , "= P= )*+ , " -. 60 , " := /01 , W / /C1 , X"- / |
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IGBT |
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Eupec |
IGBT ; '() * +, -C/ * X + -; NC54 * ;2 P; '() * +, 3. * 8; -./ * J -C/ * X + -; NC54 * ;2 P; '() * +, -C/ * X + -; NC54 * ;2 P; '() * +, 3. * 8; -./ * J -C/ * X + -; NC5ZZ * ;2 P; '() * +, -C/ * X + -; NC5ZZ * ;2 P; '() * +, 3. * 8; -./ * J -C/ * X + -; N |
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Eupec |
IGBT nsistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Em |
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Eupec |
IGBT |
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Eupec |
IGBT VGES +/- 20V V IF 1200 A IFRM 2400 A VR = 0V, tp = 10ms, T Vj = 125°C I2t 440.000 A2s T j = 125°C PRQM 1.500 kW RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 6.000 V RMS, f = 50 Hz, QPD £ 10 pC (acc. to IEC 1287) VISOL 2.600 V Charakter |
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Eupec |
IGBT &' ( " )*+ &' ( )*+ &' ( " )*+ &' ( )*+ &' ( " )*+ X 54 #= # # < % $ $ ,2 ,@. ( ,2 &' ( )*+ 3- ( " 72 ,-. ( " , ,@. ( W") , L@54 ( 2G N2 +@. ( 00 Q 3- ( " 72 ,-. ( " , ,@. ( W") , L@54 ( 2G N2 +@. ( 00 Q "2 "2 2 2 02G 02Z 2 ) 20) K K K K K K |
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Eupec |
IGBT @/ ) 6* -9 '( ) *+, 9 -@/ ) 6* -9 '( ) 6 *+, 9 -./ ) -@/9 '( ) *+, - J, M Q Q -@/ ) 6* - """ A6* -9 -./ ) 6! '( ) *+, ) 6 NO 9 '( ) *+,9 -./ ) * -9 -@/ ) ) 6 NO 9 '( ) *+,9 -./ ) * -9 -@/ ) -./ ) -./ ) -9 -@/ ) -9 -@/ ) -9 '( ) *+, $> $ $ % -9 ' |
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Eupec |
IGBT ; .C0 + " . "" .; .C0 + " .; ()* + !,- ./0 + ./0 + " .; .C0 + !" .; ()* + !,3/ + !"" 7; ./0 + "" . .C0 + X , .; MC54 + ";Y O; C0 + !!" S; ()* + !,.C0 + X , .; MC54 + ";Y O; C0 + !!" S; ()* + !,3/ + !"" 7; ./0 + "" . .C0 + X , .; MC54 + ";Y O; C0 + |
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eupec GmbH |
IGBT-Module ransistor Wechselrichter / transistor inverter Kollektor Emitter Sättigungsspannung collector emitter satration voltage Gate Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität rev |
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eupec GmbH |
IGBT alues Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer ca |
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Eupec |
IGBT Power Module +/- 20V V IF 1200 A IFRM 2400 A VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C I2t 500.000 A2s Tj = 125°C PRQM 1.200 kW RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 6.000 V RMS, f = 50 Hz, QPD ≤ 10 pC (acc. to IEC 1287) VISOL 2.600 V Charakteristische W |
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