| No. | parte # | Fabricante | Descripción | Hoja de Datos |
|---|---|---|---|---|
|
|
|
ETC |
NPN Transistor |
|
|
|
|
ETC |
KT940A / KT940B |
|
|
|
|
ETC |
NPN Transistor мер. В В В А А Вт Вт °C Значение 60 45 60 45 5 2 4 8 1.25 150 ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ( Tокр.ср.=25°C ) Паpаметpы Обозна- Ед. Режимы измеpения Min Max чение измеp Обратный ток коллектор-эмиттер КТ972А, В Iкэr мА Uкэ = 60В, Rэб = 1 кО |
|
|
|
|
ETC |
KT972/A/B NPN Transistor |
|
|
|
|
ETC |
TPAH3HCTOPBL KPEMHNEBBLE ME3ANNAHAPABLE CTPYKTYPBL N-P-N YCNNNTENBHBLE |
|
|
|
|
ETC |
Beam Pentode |
|
|
|
|
ETC |
Silizium-HF-Leistungstransistor in Epitaxie-Planar-Technologie |
|
|
|
|
ETC |
Silizium-HF-Leistungstransistor in Epitaxie-Planar-Technologie |
|
|
|
|
ETC |
THYRISTOR MODULES THYRISTOR/THYRISTOR MODULES |
|
|
|
|
ETC |
NPN HF Transistor |
|
|
|
|
ETC |
THYRISTOR MODULES THYRISTOR/THYRISTOR MODULES |
|
|
|
|
ETC |
THYRISTOR MODULES THYRISTOR/THYRISTOR MODULES |
|
|
|
|
ETC |
THYRISTOR MODULES THYRISTOR/THYRISTOR MODULES |
|
|
|
|
ETC |
NPN Transistor тер КТ972А, Б, В КТ972Г Напряжение насыщения база-эмиттер КТ972А, Б, В КТ972Г Время рассасывания Обозн. Iкэr Ед. Режимы измеpения изм. мА Uкэ = 60В, Rэб = 1 кОм Uкэ = 45В, Rэб = 1 кОм Uкэ = 60В, Rэб = 1 кОм h21Е Uкэ(нас) Uкб = 3 B, Iэ = 1 А, f =5 |
|
|
|
|
ETC |
KT972/A/B NPN Transistor |
|
|
|
|
ETC |
KT972/A/B NPN Transistor |
|
|
|
|
ETC |
Silizium-HF-Leistungstransistor |
|
|
|
|
ETC |
Silizium-HF-Leistungstransistor in Epitaxie-Planar-Technologie |
|
|
|
|
ETC |
THYRISTOR MODULES THYRISTOR/THYRISTOR MODULES |
|
|
|
|
ETC |
THYRISTOR MODULES THYRISTOR/THYRISTOR MODULES |
|
Desde 2024. D4U Semiconductor.
|