| No. | parte # | Fabricante | Descripción | Hoja de Datos |
|---|---|---|---|---|
|
|
|
ETC |
POWERFUL VERTICAL P-channel MOSFET с ост КП796А КП796Б КП796В Ток утечки затвора Iз ут Кpутизна ВАХ S КП796А,В КП796Б Прямое напряжение диода Uпр КП796А,В КП796Б Время задержки включе- tзд.вкл/выкл ния/выключения КП796А,В КП796Б Тепловое сопротивление переход-корпус |
|
|
|
|
ETC |
1575.42 MHz SAW Filter ge and pin configuration: (Unit: mm) Pin 1: Input Pin 2: Ground Pin 3: Output Pin 4: Ground f tech Corporation Page 4 of 4 |
|
|
|
|
ETC |
Power FET taSheet4U.com TSTG и хранения прибора Температура пайки при времени менее 10 сек. 300 ° C Тепловое сопротивление Параметр RJC Тепловое сопротивление кристалл-корпус RCS RJA Корпус-теплоотвод Мин. Тип. Макс. Ед.изм. ---2.5 ° C/Вт ° C/Вт ° |
|
|
|
|
ETC |
N-Channel Transistor max А 290 220 Рассеиваемая мощность Pmax Вт 190 150 Прямой ток диода Iпр. max А 50 50 Темпеpатуpа пеpехода Тпеp °С 175 175 1. Затвор 2. Сток 3. Исток ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Токр.ср.=25°С) Паpаметpы Обозначение Ед.и |
|
|
|
|
ETC |
N-Channel Transistor max А 290 220 Рассеиваемая мощность Pmax Вт 190 150 Прямой ток диода Iпр. max А 50 50 Темпеpатуpа пеpехода Тпеp °С 175 175 1. Затвор 2. Сток 3. Исток ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Токр.ср.=25°С) Паpаметpы Обозначение Ед.и |
|
|
|
|
ETC |
N-Channel Transistor max А 50 50 50 50 Импульсный ток стока Iс и max А 200 200 200 200 Рассеиваемая мощность при Pmax Вт 150 150 150 150 Ткорп=25°С Темпеpатуpа пеpехода Тпеp °С 175 175 175 175 ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Токр.ср.=25°С) Паpаметpы |
|
|
|
|
ETC |
N-Channel Transistor max А 50 50 50 50 Импульсный ток стока Iс и max А 200 200 200 200 Рассеиваемая мощность при Pmax Вт 150 150 150 150 Ткорп=25°С Темпеpатуpа пеpехода Тпеp °С 175 175 175 175 ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Токр.ср.=25°С) Паpаметpы |
|
|
|
|
ETC |
POWERFUL VERTICAL P-channel MOSFET с ост КП796А КП796Б КП796В Ток утечки затвора Iз ут Кpутизна ВАХ S КП796А,В КП796Б Прямое напряжение диода Uпр КП796А,В КП796Б Время задержки включе- tзд.вкл/выкл ния/выключения КП796А,В КП796Б Тепловое сопротивление переход-корпус |
|
|
|
|
ETC |
POWERFUL VERTICAL P-channel MOSFET с ост КП796А КП796Б КП796В Ток утечки затвора Iз ут Кpутизна ВАХ S КП796А,В КП796Б Прямое напряжение диода Uпр КП796А,В КП796Б Время задержки включе- tзд.вкл/выкл ния/выключения КП796А,В КП796Б Тепловое сопротивление переход-корпус |
|
|
|
|
ETC |
POWERFUL VERTICAL P-channel MOSFET с ост КП796А КП796Б КП796В Ток утечки затвора Iз ут Кpутизна ВАХ S КП796А,В КП796Б Прямое напряжение диода Uпр КП796А,В КП796Б Время задержки включе- tзд.вкл/выкл ния/выключения КП796А,В КП796Б Тепловое сопротивление переход-корпус |
|
Desde 2024. D4U Semiconductor.
|