Diotec MUR Hoja de datos

No.	parte #	Fabricante	Descripción
1	MURS360	Diotec	Superfast Efficient Surface Mount Rectifier Diodes nwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating jun
2	MUR105	Diotec	Ultrafast Switching Silicon Rectifier Diodes
3	MUR115	Diotec	Ultrafast Switching Silicon Rectifier Diodes
4	MUR130	Diotec	Ultrafast Switching Silicon Rectifier Diodes
5	MURS320	Diotec	Superfast Efficient Surface Mount Rectifier Diodes nwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating jun
6	MURS340	Diotec	Superfast Efficient Surface Mount Rectifier Diodes nwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating jun
7	MUR120	Diotec	Ultrafast Switching Silicon Rectifier Diodes -wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TA = 50°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t Tj
8	MUR140	Diotec	Ultrafast Switching Silicon Rectifier Diodes -wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TA = 50°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t Tj
9	MUR860	Diotec Semiconductor	Superfast Efficient Rectifier Diodes Very low reverse recovery time Low forward voltage drop Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Mechanical Data 1) Packed in tubes Weight approx. WEEE Typische Anwendungen Gleichrichtung hoher Frequenzen Wandlerstufen mit hohem Wirkungsgrad
10	MUR110	Diotec	Ultrafast Switching Silicon Rectifier Diodes
11	MUR160	Diotec	Ultrafast Switching Silicon Rectifier Diodes -wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TA = 50°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t Tj