Diotec 3.0 Hoja de datos

No.	parte #	Fabricante	Descripción
1	2N2222A	Diotec	Si-Epitaxial Transistors PN2222A / 2N2222A 75 V 40 V 6V 625 mW 1) 600 mA 800 mA -65...+150°C -65…+150°C Characteristics (Tj = 25°C) Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom VCB = 60 V Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung IC = 150 mA,
2	AG6A	Diotec Semiconductor	Silicon Rectifier Cells with polysiloxan passivation or fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Forward voltage Durchlaßspannung Leakage current – Sperrstrom Tj = 25/C Tj = 25/C IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS IF
3	BC548	Diotec	General Purpose NPN Transistors General Purpose Three current gain groups Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Mechanical Data 1) WEEE Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken Standardausführung 1) Besonderheiten Universell anwendbar Drei Stromve
4	P6SMBJ15C	Diotec	SMD Transient Voltage Suppressor Diodes Besonderheiten Uni- and Bidirectional versions Uni- und Bidirektionale Versionen Peak pulse power of 600 W 600 W Impuls-Verlustleistung (10/1000 µs waveform) (10/1000 µs Strom-Impuls) Very fast response time Sehr schnelle Ansprechzeit Furth
5	ZMD8.2	Diotec	SMD Zener Diodes High power dissipation VZ up to 100 V Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) WEEE RoHS Pb Besonderheiten Hohe Leistungsfähigkeit VZ bis zu 100 V Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped
6	MPSA94	Diotec	High voltage Si-epitaxial planar transistors 55…+150°C MPSA94 400 V 400 V Characteristics (Tj = 25°C) Min. Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom IE = 0, - VCB = 200 V IE = 0, - VCB = 160 V Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom IB = 0, - VEB = 3 V Collector saturation volt
7	GBI25D	Diotec Semiconductor	Single Phase Bridge Rectifier e Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) 50 100 200 400 600 800 1000 Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halb
8	BC548C	Diotec	General Purpose NPN Transistors General Purpose Three current gain groups Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Mechanical Data 1) WEEE Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken Standardausführung 1) Besonderheiten Universell anwendbar Drei Stromve
9	3.0SMCJ60A	Diotec	SMD Transient Voltage Suppressor Diodes Uni- and Bidirectional versions Peak pulse power of 3000 W (10/1000 µs waveform) Very fast response time Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) WEEE Besonderheiten Uni- und Bidirektionale Versionen 3000 W Impuls-Verlustleistung (10/1000
10	BC847B	Diotec Semiconductor	SMD General Purpose NPN Transistors General Purpose Three current gain groups Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Mechanical Data 1) Taped and reeled Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken Standardausführung 1) Besonderheiten Universell anwendbar D
11	CS50S	Diotec Semiconductor	Surface Mount Schottky-Bridge Rectifiers titive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature – Sperrschichttem
12	P6SMBJ6.0CA	Diotec	SMD Transient Voltage Suppressor Diodes Besonderheiten Uni- and Bidirectional versions Uni- und Bidirektionale Versionen Peak pulse power of 600 W 600 W Impuls-Verlustleistung (10/1000 µs waveform) (10/1000 µs Strom-Impuls) Very fast response time Sehr schnelle Ansprechzeit Furth
13	GBI10M	Diotec Semiconductor	Silicon-Bridge Rectifiers ard surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction te
14	BY134	Diotec Semiconductor	Silicon Rectifiers ion temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TA = 50/C f > 15 Hz TA = 25/C TA = 25/C IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS 1 A 1) 10 A 1) 50 A 12.5 A2s – 50…+175/C – 50…+175/C 1 ) Valid, if leads are kept at ambient temp
15	BYX55-600	Diotec	Fast Silicon Rectifiers e 50 Hz Sinus-Halbwelle TA = 50°C IFAV 2 A 1) f > 15 Hz IFRM i2t 20 A 1) TA = 25°C 8 A2s TA = 25°C IFSM 40 A Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS – 50…+150°C – 50…+175°C
16	P6SMBJ75A	Diotec	SMD Transient Voltage Suppressor Diodes Besonderheiten Uni- and Bidirectional versions Uni- und Bidirektionale Versionen Peak pulse power of 600 W 600 W Impuls-Verlustleistung (10/1000 µs waveform) (10/1000 µs Strom-Impuls) Very fast response time Sehr schnelle Ansprechzeit Furth
17	P6SMBJ110CA	Diotec	SMD Transient Voltage Suppressor Diodes Besonderheiten Uni- and Bidirectional versions Uni- und Bidirektionale Versionen Peak pulse power of 600 W 600 W Impuls-Verlustleistung (10/1000 µs waveform) (10/1000 µs Strom-Impuls) Very fast response time Sehr schnelle Ansprechzeit Furth
18	P6SMBJ64CA	Diotec	SMD Transient Voltage Suppressor Diodes Besonderheiten Uni- and Bidirectional versions Uni- und Bidirektionale Versionen Peak pulse power of 600 W 600 W Impuls-Verlustleistung (10/1000 µs waveform) (10/1000 µs Strom-Impuls) Very fast response time Sehr schnelle Ansprechzeit Furth
19	BYP60A1	Diotec Semiconductor	Silicon Press-Fit-Diodes High-temperature diodes in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 / 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 / 60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing – Grenzlastintegral, t <10 ms Operating junc
20	BYP60A6	Diotec Semiconductor	Silicon Press-Fit-Diodes High-temperature diodes in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 / 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 / 60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing – Grenzlastintegral, t <10 ms Operating junc