logo

KT815A INCHANGE NPN Transistor Datasheet


INCHANGE
KT815A
Part Number KT815A
Manufacturer INCHANGE
Description ·High Collector Current-IC= 1.5A ·High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 40V(Min) ·Good Linearity of hFE ·Low Saturation Voltage ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for power amplifier applications ABSOLUTE MAXIM...
Features IC= 100μA ; IE= 0 V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 1mA ; RBE= ∞ V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Vltage IE= 100μA ; IC= 0 VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 500mA; IB= 50mA VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 500mA; IB= 50mA ICBO Collector Cutoff Current VCB= 60V; IE= 0 IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 hFE-1 DC Current Gain IC= 50mA ; VCE= 5V hFE-2 DC Current Gain IC= 500mA ; VCE= 5V KT815A MIN TYP. MAX UNIT 60 V 40 V 5 V 0.6 V 1.2 V 10 μA 10 μA 40 275 20 NOTICE: ISC reserves the rights to make changes of the ...

Document Datasheet KT815A datasheet pdf (207.17KB)




KT815A Distributor






KT815A Similar Datasheet

Part Number Description
KT8101A
manufacturer
ETC
NPN Transistor
...
KT8101B
manufacturer
ETC
NPN Transistor
...
KT8102A
manufacturer
ETC
PNP Transistor
...
KT8102B
manufacturer
ETC
PNP Transistor
...
KT8107A
manufacturer
ETC
NPN Transistor
КТ8107А, КТ8107Б, КТ8107В, КТ8107Г, КТ8107Д, КТ8107Е, КТ8107А2, КТ8107Б2, КТ8107В2, КТ8107Г2, КТ8107Д2, КТ8107Е2 Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п переключательные. Предназначены для применения в схемах строчной развертки телевизионных приемников. Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами КТ8107А2—КТ8107Е2 и в пластмассовом корпу­ се с жесткими выводами КТ8107А-,КТ8107Е. Тип прибора ука­ зывается на корпусе. Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г, в пластмассовом корпусе не более 4 г. Изготовители — з...
KT8107A2
manufacturer
ETC
NPN Transistor
КТ8107А, КТ8107Б, КТ8107В, КТ8107Г, КТ8107Д, КТ8107Е, КТ8107А2, КТ8107Б2, КТ8107В2, КТ8107Г2, КТ8107Д2, КТ8107Е2 Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п переключательные. Предназначены для применения в схемах строчной развертки телевизионных приемников. Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами КТ8107А2—КТ8107Е2 и в пластмассовом корпу­ се с жесткими выводами КТ8107А-,КТ8107Е. Тип прибора ука­ зывается на корпусе. Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г, в пластмассовом корпусе не более 4 г. Изготовители — з...
KT8107B
manufacturer
ETC
NPN Transistor
КТ8107А, КТ8107Б, КТ8107В, КТ8107Г, КТ8107Д, КТ8107Е, КТ8107А2, КТ8107Б2, КТ8107В2, КТ8107Г2, КТ8107Д2, КТ8107Е2 Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п переключательные. Предназначены для применения в схемах строчной развертки телевизионных приемников. Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами КТ8107А2—КТ8107Е2 и в пластмассовом корпу­ се с жесткими выводами КТ8107А-,КТ8107Е. Тип прибора ука­ зывается на корпусе. Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г, в пластмассовом корпусе не более 4 г. Изготовители — з...
KT8107B2
manufacturer
ETC
NPN Transistor
КТ8107А, КТ8107Б, КТ8107В, КТ8107Г, КТ8107Д, КТ8107Е, КТ8107А2, КТ8107Б2, КТ8107В2, КТ8107Г2, КТ8107Д2, КТ8107Е2 Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п переключательные. Предназначены для применения в схемах строчной развертки телевизионных приемников. Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами КТ8107А2—КТ8107Е2 и в пластмассовом корпу­ се с жесткими выводами КТ8107А-,КТ8107Е. Тип прибора ука­ зывается на корпусе. Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г, в пластмассовом корпусе не более 4 г. Изготовители — з...
KT8107E
manufacturer
ETC
NPN Transistor
КТ8107А, КТ8107Б, КТ8107В, КТ8107Г, КТ8107Д, КТ8107Е, КТ8107А2, КТ8107Б2, КТ8107В2, КТ8107Г2, КТ8107Д2, КТ8107Е2 Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п переключательные. Предназначены для применения в схемах строчной развертки телевизионных приемников. Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами КТ8107А2—КТ8107Е2 и в пластмассовом корпу­ се с жесткими выводами КТ8107А-,КТ8107Е. Тип прибора ука­ зывается на корпусе. Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г, в пластмассовом корпусе не более 4 г. Изготовители — з...
KT8107E2
manufacturer
ETC
NPN Transistor
КТ8107А, КТ8107Б, КТ8107В, КТ8107Г, КТ8107Д, КТ8107Е, КТ8107А2, КТ8107Б2, КТ8107В2, КТ8107Г2, КТ8107Д2, КТ8107Е2 Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п переключательные. Предназначены для применения в схемах строчной развертки телевизионных приемников. Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами КТ8107А2—КТ8107Е2 и в пластмассовом корпу­ се с жесткими выводами КТ8107А-,КТ8107Е. Тип прибора ука­ зывается на корпусе. Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г, в пластмассовом корпусе не более 4 г. Изготовители — з...




logo    Since 2024. D4U Semiconductor.   |   Contact Us   |   Privacy Policy